SK하이닉스, HBM4 개발 가속화…삼성전자의 대응은?

최태원 SK그룹 회장이 미국 라스베이거스에서 열린 'CES 2025'에서 SK하이닉스의 고대역폭메모리(HBM) 개발 속도가 엔비디아의 요구를 초과하고 있다고 자신감을 보였습니다. SK하이닉스는 올해 6세대 HBM4 시장 선점을 위해 총력전을 펼칠 계획입니다. HBM4의 개발이 예상보다 빨라지면, 직전 세대 제품인 HBM3E와 마찬가지로 시장에서 우위를 점할 수 있을 것으로 기대됩니다.

최 회장은 기자간담회에서 엔비디아의 젠슨 황 CEO와의 만남을 언급하며, "SK하이닉스의 개발 속도가 엔비디아를 조금 넘고 있다"고 밝혔습니다. 이는 SK하이닉스가 엔비디아가 요구한 최신 HBM 개발 속도보다 더 빠르게 진행되고 있다는 것을 의미합니다. 특히, SK하이닉스는 올 하반기 HBM4 양산을 예정하고 있어, 시장에서의 경쟁력을 더욱 강화할 수 있는 기회를 맞이하고 있습니다.

엔비디아는 차세대 AI 가속기인 '루빈'의 출시 시기를 내년에서 올해 3분기로 6개월 앞당길 계획입니다. 루빈은 HBM4 8개를 탑재할 예정이어서, HBM4의 양산이 빨라질수록 SK하이닉스에게 유리한 상황이 될 것입니다. SK하이닉스는 엔비디아와 TSMC와의 협력을 통해 'AI 삼각동맹'을 형성하고 있으며, 루빈 출시 시기에 민감하게 반응할 수밖에 없는 상황입니다.

반면, 삼성전자도 HBM4 개발에 박차를 가하고 있습니다. 삼성전자는 지난해 HBM3E 공급 경쟁에서 SK하이닉스에 밀렸던 만큼, HBM4에서는 반드시 앞선 성과를 내야 합니다. 그러나 SK하이닉스의 개발 속도가 빨라지면서 삼성전자는 더욱 강력한 개발 역량을 요구받고 있습니다.

젠슨 황 CEO는 최근 CES 2025 기자간담회에서 삼성 HBM3E에 대해 "새로운 디자인을 설계해야 한다"고 언급하며, HBM4 개발에도 부담이 클 것이라는 전망을 내놓았습니다. 이는 삼성전자가 HBM4의 품질 검증을 위해 설계 문제를 철저히 해결해야 한다는 것을 의미합니다.

삼성전자는 HBM4에 '1c 공정' 기술을 활용하여 성능 확보에 사활을 걸고 있습니다. 1c 공정은 극미세화된 D램 기술로, 반도체의 동작 속도와 전력 효율을 높이는 데 기여합니다. 업계 관계자는 "삼성전자가 적기에 HBM4 양산을 하지 못하면 HBM 경쟁에서 크게 밀릴 수 있다"며, 양산을 앞당기면서 수율과 공정 안정성을 확보하는 것이 관건이라고 강조했습니다.

결론적으로, SK하이닉스의 HBM4 개발 가속화는 시장에서의 경쟁력을 높이는 중요한 요소가 될 것이며, 삼성전자는 이에 대한 대응 전략을 마련해야 할 시점에 있습니다.